Photoemissionsmessungen an p-GaAs (100) und n-Si (100) bei zusätzlicher Einstrahlung von Licht der Energie 1.2eV

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1995 - 150 Seiten

Bibliografische Informationen

TitelPhotoemissionsmessungen an p-GaAs (100) und n-Si (100) bei zusätzlicher Einstrahlung von Licht der Energie 1.2eV
Autor/inKlaus-Jürgen Tombrink
Veröffentlicht1995
Länge150 Seiten
  
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